Андрей Смирнов
Время чтения: ~9 мин.
Просмотров: 0

Транзистор кт815б

Технические характеристики

Серию КТ825 относят к полупроводниковым триодам с p-n-p-проводимостью. Но на самом деле они представляют собой устройства состоящее из двух таких структур, собранных в едином корпусе по схеме Дарлингтона. В СССР их ещё называли — составными.

Максимальные эксплуатационные значения

КТ825Г является лучшим по параметрам транзистором в своей серии, если не рассматривать его аналог 2Т825. Он имеет наибольшие значения предельно допустимых режимов эксплуатации среди «собратьев». Рассмотрим их поподробнее:

  • максимальное постоянное напряжение: К-Э — до 90 В; Б-Э – до 5 В;
  • коллекторный ток: постоянный от 20 А; импульсный до 40 А;
  • рассеиваемая мощность на коллекторе: до 125 Вт (с радиатором); до 3 Вт (без теплоотвода);  у кристалла не более 40 Вт;
  • температура: p-n-перехода до +150°С; окружающей среды от -40 до +100 °C.

Электрические характеристики

Электрические параметры КТ825Г тоже неплохие, по сравнению с другими серии. Согласно данным из даташит, он имеет лучшие показатели статического коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером (H21э) от 600 до 25000 и пробивное напряжение К-Э до 90В. Такие величины H21э обусловлены его составной структурой. Эти и другие характеристики устройства представлены в таблице ниже, исходя из условий его работы указанных в отдельном столбце.

Комплементарная пара

В качестве комплементарной пары во многих технических решениях используется составной КТ827А, имеющий NPN-проводимость.

Зарубежная маркировка SMD

В таблице ниже обобщена информация о маркировочных кодах полупроводниковых приборов ведущих зарубежных фирм.  Для компактности в настоящий справочный материал не включены приборы-двойники, имеющие одинаковую маркировку и одинаковое название, но производимые разными изготовителями. Например, транзистор BFR93A выпускается не только фирмой Siemens, но и Philips Semiconductors, и Temic Telefunken.

Таблица маркировочных кодах полупроводниковых приборов ведущих зарубежных фирм.

Среди 18 представленных типов корпусов наиболее часто встречается SOT-23 – Small Outline Transistor. Он имеет почтенный возраст и пережил несколько попыток стандартизации.

Выше были приведены нормы конструктивных допусков, которыми руководствуются разные фирмы. Несмотря на рекомендации МЭК, JEDEC, EIAJ, двух абсолютно одинаковых типоразмеров в табл.1 найти невозможно.

Приводимые сведения будут подспорьем специалистам, ремонтирующим импортную радиоаппаратуру. Зная маркировочный код и размеры ЭРЭ, можно определить тип элемента и фирму-изготовитель, а затем по каталогам найти электрические параметры и подобрать возможную замену.

Кроме того, многие фирмы используют свои собственные названия корпуса. Следует отметить, что отечественные типы корпусов, такие как КТ-46 – это аналог SOT-23, KT-47 – это аналог SOT-89, КТ-48 – это аналог SOT-143, были гостированы еще в 1988 году.

Выпущенные за это время несколько десятков разновидностей отечественных SMD-элементов маркируют, как правило, только на упаковочной таре, транзисторы КТ3130А9 – еще и разноцветными метками на корпусе. Самые “свежие” типы корпусов – это SOT-23/5 (или, по-другому, SOT-23-5) и SOT-89/5 (SOT-89-5), где цифра “5” указывает на количество выводов.

Назвать такие обозначения удачными – трудно, поскольку их легко можно перепутать с трехвыводными SOT-23 и SOT-89. В продолжение темы заметим, что появились сообщения о сверхминиатюрном 5-выводном корпусе SOT-323-5 (JEDEC specification), в котором фирма Texas Instruments планирует выпускать логические элементы PicoGate Logic серии ACH1G и ACHT1G.

Из всех корпусов “случайным” можно назвать относительно крупногабаритный SOT-223. Обычно на нем помещаются если не все, то большинство цифр и букв названия ЭРЭ, по которым однозначно определяется его тип. Несмотря на миниатюрность SMD-элементов, их параметры, включая рассеиваемую мощность, мало чем отличаются от корпусных аналогов.

Для сведения, в справочных данных на транзисторы в корпусе SOT-23 указывается максимально допустимая мощность 0,25-0,4 Вт, в корпусе SOT-89 – 0,5-0,8 Вт, в корпусе SOT-223 – 1-2 Вт.

Маркировочный код элементов может быть цифровым, буквенным или буквенно-цифровым. Количество символов кода от 1 до 4, при этом полное наименование ЭРЭ содержит 5-14 знаков.

Самые длинные названия применяют:

  • американская фирма Motorola,
  • японская Seiko Instruments
  • тайваньская Pan Jit.
Код Тип ЭРЭ Фирма Рис. Код Тип ЭРЭ Фирма Рис.
7E MUN5215DW1T1 K2 MO 2Q
11 MUN5311DW1T1 L3 MO 2Q 7F MUN5216DW1T1 K2 MO 2Q
12 MUN5312DW1T1 L3 MO 2Q 7G MUN5230DW1T1 K2 MO 2Q
12 INA-12063 U2 HP 2Q 7H MUN5231DW1T1 K2 MO 2Q
13 MUN5313DW1T1 L3 MO 2Q 7J MUN5232DW1T1 K2 MO 2Q
14 MUN5314DW1T1 L3 MO 2Q 7K MUN5233DW1T1 K2 MO 2Q
15 MUN5315DW1T1 L3 MO 2Q 7L MUN5234DW1T1 K2 MO 2Q
16 MUN5316DW1T1 L3 MO 2Q 7M MUN5235DW1T1 K2 MO 2Q
BC847S N5 SI 2Q 81 MGA-81563 U1 HP 2Q
1P BC847PN P6 SI 2Q 82 INA-82563 U1 HP 2Q
31 MUN5331DW1T1 L3 MO 2Q 86 INA-86563 U1 HP 2Q
32 MUN5332DW1T1 L3 MO 2Q 87 INA-87563 U1 HP 2Q
33 MUN5333DW1T1 L3 MO 2Q 91 IAM-91563 U1 HP 2Q
34 MUN5334DW1T1 L3 MO 2Q A2 MBT3906DW1T1 P5 MO 2Q
35 MUN5335DW1T1 L3 MO 2Q A3 MBT3906DW9T1 P5 MO 2Q
36 ATF-36163 A1 HP 2Q A4 BAV70S E4 SI 2Q
3C BC857S P5 SI 2Q E6 MDC5001T1 U3 MO 2Q
3X MUN5330DW1T1 L3 MO 2Q H5 MBD770DWT1 F2 MO 2Q
46 MBT3946DW1T1 P6 MO 2Q II AT-32063 N2 HP 2Q
51 INA-51063 U2 HP 2Q M1 CMY200 U1 SI 2R
52 INA-52063 U2 HP 2Q M4 MBD110DWT1 F2 MO Q
54 INA-54063 U2 HP 2Q M6 MBF4416DW1T1 A3 MO 2Q
6A MUN5111DW1T1 L2 MO 2Q MA MBT3904DW1T1 N5 MO 2Q
6B MUN5112DW1T1 L2 MO 2Q MB MBT3904DW9T1 N5 MO 2Q
6C MUN5113DW1T1 L2 MO 2Q MC BFS17S N5 SI 2Q
6D MBF5457DW1T1 A3 MO 2Q RE BFS480 N5 SI 2Q
6D MUN5114DW1T1 L2 MO 2Q RF BFS481 N5 SI 2Q
6E MUN5115DW1T1 L2 MO 2Q RG BFS482 N5 SI 2Q
6F MUN5116DW1T1 L2 MO 2Q RH BFS483 N5 SI 2Q
6G MUN5130DW1T1 L2 MO 2Q T4 MBD330DWT1 F2 MO 2Q
6H MUN5131DW1T1 L2 MO 2Q W1 BCR10PN L3 SI 2Q
6J MUN5132DW1T1 L2 MO 2Q WC BCR133S K2 SI 2Q
6K MUN5133DW1T1 L2 MO 2Q WF BCR08PN L3 SI 2Q
6L MUN5134DW1T1 L2 MO 2Q WK BCR119S K2 SI 2Q
6M MUN5135DW1T1 L2 MO 2Q WM BCR183S K2 SI 2Q
7A MUN5211DW1T1 K2 MO 2Q WP BCR22PN L3 SI 2Q
7B MUN5212DW1T1 K2 MO 2Q Y2 CLY2 A1 SI 2R
7C MUN5213DW1T1 K2 MO 2Q 6s CGY60 U1 SI 2R
7D MUN5214DW1T1 K2 MO 2Q Y7s CGY62 U1 SI 2R

Аналоги

Выбор аналога для КТ825Г зависит от схемы в которой он используется. В любом случае полной его копии не существует и прототип BDX88 уже не производится. При этом, для большинства ситуаций подходят такие импортные транзисторы: 2N6052, MJ11013, MJ11015, 2N5884

Для его замены в выходных каскадах усилителей, в первую очередь стоит обратить внимание на российский 2Т825А или на эквивалентную конструкцию их двух биполярников КТ814Г и КТ818В

Часто, для ремонта или модернизации популярного УНЧ Солнцева (Квод-405) вместо КТ825Г применяют зарубежные дарлингтоны: MJ11015, TIP147, BDV64B. При таком подходе в данном усилителе также рекомендуют поменять его комплементарник КТ827А и тоже на импортные аналоги. Соответственно подойдут: MJ11016, TIP142, BDV65B. Стоит учитывать, что коллекторный ток у двух последних значительно меньше (до 10 А), чем у рассматриваемого. Но при этом считается, что качество звука в этом случае будет на много лучше.

Бывают и другие случаи, когда вместо дорогого импортного транзистора дарлингтона довольно успешно применяют наш КТ825Г. Например, его нередко используют для замены мощных Т1829-1 и FW26025A1, которые установлены для регулировки напряжением на вентиляторах в автомобильных блоках управления отоплением Valeo 833817E.

Результаты подбора MOSFET (поиска аналога)

Маркировка Pol Struct Pd Uds Ugs Ugs(th) Id Tj Qg Tr Cd Rds Caps
22N20 N MOSFET 156 200 30 22 150 300 220 0.12 TO220 TO220F
2SK3555-01MR N MOSFET 95 250 30 37 150 30 220 0.1 TO220F
2SK3607-01MR N MOSFET 37 200 30 18 150 2.6 110 0.17 TO220F
2SK3926-01MR N MOSFET 95 250 30 34 150 19 220 0.11 TO220F
AOTF27S60 N MOSFET 50 600 30 27 150 33 80 0.16 TO220F
AOTF29S50 N MOSFET 50 500 30 3.9 29 150 39 88 0.15 TO220F
AOTF42S60 N MOSFET 50 600 30 3.8 39 150 40 53 135 0.099 TO220F
AOTF42S60L N MOSFET 37.9 600 30 3.8 39 150 40 53 135 0.099 TO220F
F21F60CPM N MOSFET 60 600 30 3.5 21 150 39 60 100 0.165 TO220F
F25F60CPM N MOSFET 70 600 30 3.5 25 150 53 70 120 0.125 TO220F
FCPF099N65S3 N MOSFET 43 650 30 4.5 30 150 57 20 50 0.099 TO220F
FCPF125N65S3 N MOSFET 38 650 30 4.5 24 150 44 25 40 0.125 TO220F
FCPF22N60NT N MOSFET 39 600 30 4 22 150 45 0.165 TO220F
FDPF18N20F N MOSFET 41 200 30 5 18 150 50 200 0.14 TO220F
FDPF18N20FT N MOSFET 41 200 30 5 18 150 20 0.14 TO220F
FDPF18N20FT_G N MOSFET 35 200 30 18 150 0.14 TO220F
FDPF2710T N MOSFET 62.5 250 30 5 25 150 78 0.0425 TO220F
FDPF33N25T N MOSFET 37 250 30 5 33 150 36.8 0.094 TO220F
FDPF33N25TRDTU N MOSFET 37 250 30 5 33 150 0.094 TO220F
FDPF39N20 N MOSFET 37 200 30 5 39 150 38 0.066 TO220F
FDPF39N20TLDTU N MOSFET 37 200 30 5 23.4 150 0.066 TO220F
FDPF44N25T N MOSFET 38 250 30 5 44 150 47 0.069 TO220F
FDPF44N25TRDTU N MOSFET 38 250 30 5 44 150 0.069 TO220F
FDPF51N25 N MOSFET 38 250 30 5 28 150 55 0.06 TO220F
FDPF51N25RDTU N MOSFET 38 250 30 5 51 150 0.06 TO220F
FMV24N25G N MOSFET 65 250 30 5 24 150 36 22 200 0.13 TO220F
FQPF18N20V2 N MOSFET 40 200 30 5 18 150 20 133 200 0.14 TO220F
FQPF19N20C N MOSFET 43 200 30 4 19 150 40.5 0.17 TO220F
FQPF19N20CYDTU N MOSFET 43 200 30 4 19 150 40.5 150 195 0.17 TO220F
FQPF32N20C N MOSFET 50 200 30 4 28 150 82.5 0.082 TO220F
FS20KM-5 N MOSFET 40 250 30 20 0.15 TO220FN
GP1M018A020XX N MOSFET 94 200 30 5 18 150 18 30 180 0.17 TO220 TO220F
IRFI4229 N MOSFET 46 250 30 19 73 0.046 TO220FP
MTN18N20FP N MOSFET 41 200 30 18 150 66 154 0.08 TO220FP
NCE65T130F N MOSFET 35 650 30 4 28 150 37.5 12 120 0.13 TO220F
NTPF082N65S3F N MOSFET 48 650 30 5 40 150 70 27 70 0.082 TO220F
RCX200N20 N MOSFET 40 200 30 5 20 150 40 100 120 0.13 TO220FM
RCX220N25 N MOSFET 40 250 30 5 22 150 60 100 170 0.14 TO220FM
RCX300N20 N MOSFET 40 200 30 5 30 150 60 160 200 0.08 TO220FM
RCX330N25 N MOSFET 40 250 30 33 150 80 200 220 0.077 TO220FM
SIHA25N50E N MOSFET 35 500 30 4 26 150 57 36 105 0.145 TO220FP
SIHF23N60E N MOSFET 35 600 30 4 23 150 63 38 119 0.158 TO220FP
SIHF28N60EF N MOSFET 39 600 30 4 28 150 80 40 123 0.123 TO220FP
SMK1820F N MOSFET 35 200 30 18 150 130 227 0.17 TO220F
SMK1820FJ N MOSFET 35 200 30 18 150 130 227 0.17 TO220F
STF30NM60N N MOSFET 40 600 30 4 25 150 91 24 210 0.13 TO220FP
TK22A65X5 N MOSFET 45 650 30 4.5 22 150 50 20 60 0.16 TO220F

Всего результатов: 47

Заключение

Информация о маркировочных кодах, содержащаяся в литературе, требует критического подхода и осмысления. К сожалению, красиво оформленный каталог с безукоризненной полиграфией не гарантируют от опечаток, ошибок, разночтений и противоречий, поэтому исходите из данных, что приведены в справочнике о маркировке радиоэлементов.

В заключение хотелось бы поблагодарить источники, которые были использованы для подбора материала к данной статье:

www.mp16.ru

www.rudatasheet.ru

www.texnic.ru

www.solo-project.com

www.ra4a.narod.ru

Предыдущая
ПолупроводникиЧто такое биполярный транзистор
Следующая
ПолупроводникиSMD транзисторы

Рейтинг автора
5
Материал подготовил
Максим Иванов
Наш эксперт
Написано статей
129
Ссылка на основную публикацию
Похожие публикации