Содержание
Технические характеристики
Серию КТ825 относят к полупроводниковым триодам с p-n-p-проводимостью. Но на самом деле они представляют собой устройства состоящее из двух таких структур, собранных в едином корпусе по схеме Дарлингтона. В СССР их ещё называли — составными.
Максимальные эксплуатационные значения
КТ825Г является лучшим по параметрам транзистором в своей серии, если не рассматривать его аналог 2Т825. Он имеет наибольшие значения предельно допустимых режимов эксплуатации среди «собратьев». Рассмотрим их поподробнее:
- максимальное постоянное напряжение: К-Э — до 90 В; Б-Э – до 5 В;
- коллекторный ток: постоянный от 20 А; импульсный до 40 А;
- рассеиваемая мощность на коллекторе: до 125 Вт (с радиатором); до 3 Вт (без теплоотвода); у кристалла не более 40 Вт;
- температура: p-n-перехода до +150°С; окружающей среды от -40 до +100 °C.
Электрические характеристики
Электрические параметры КТ825Г тоже неплохие, по сравнению с другими серии. Согласно данным из даташит, он имеет лучшие показатели статического коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером (H21э) от 600 до 25000 и пробивное напряжение К-Э до 90В. Такие величины H21э обусловлены его составной структурой. Эти и другие характеристики устройства представлены в таблице ниже, исходя из условий его работы указанных в отдельном столбце.
Комплементарная пара
В качестве комплементарной пары во многих технических решениях используется составной КТ827А, имеющий NPN-проводимость.
Зарубежная маркировка SMD
В таблице ниже обобщена информация о маркировочных кодах полупроводниковых приборов ведущих зарубежных фирм. Для компактности в настоящий справочный материал не включены приборы-двойники, имеющие одинаковую маркировку и одинаковое название, но производимые разными изготовителями. Например, транзистор BFR93A выпускается не только фирмой Siemens, но и Philips Semiconductors, и Temic Telefunken.
Таблица маркировочных кодах полупроводниковых приборов ведущих зарубежных фирм.
Среди 18 представленных типов корпусов наиболее часто встречается SOT-23 – Small Outline Transistor. Он имеет почтенный возраст и пережил несколько попыток стандартизации.
Выше были приведены нормы конструктивных допусков, которыми руководствуются разные фирмы. Несмотря на рекомендации МЭК, JEDEC, EIAJ, двух абсолютно одинаковых типоразмеров в табл.1 найти невозможно.
Приводимые сведения будут подспорьем специалистам, ремонтирующим импортную радиоаппаратуру. Зная маркировочный код и размеры ЭРЭ, можно определить тип элемента и фирму-изготовитель, а затем по каталогам найти электрические параметры и подобрать возможную замену.
Кроме того, многие фирмы используют свои собственные названия корпуса. Следует отметить, что отечественные типы корпусов, такие как КТ-46 – это аналог SOT-23, KT-47 – это аналог SOT-89, КТ-48 – это аналог SOT-143, были гостированы еще в 1988 году.
Выпущенные за это время несколько десятков разновидностей отечественных SMD-элементов маркируют, как правило, только на упаковочной таре, транзисторы КТ3130А9 – еще и разноцветными метками на корпусе. Самые “свежие” типы корпусов – это SOT-23/5 (или, по-другому, SOT-23-5) и SOT-89/5 (SOT-89-5), где цифра “5” указывает на количество выводов.
Назвать такие обозначения удачными – трудно, поскольку их легко можно перепутать с трехвыводными SOT-23 и SOT-89. В продолжение темы заметим, что появились сообщения о сверхминиатюрном 5-выводном корпусе SOT-323-5 (JEDEC specification), в котором фирма Texas Instruments планирует выпускать логические элементы PicoGate Logic серии ACH1G и ACHT1G.
Из всех корпусов “случайным” можно назвать относительно крупногабаритный SOT-223. Обычно на нем помещаются если не все, то большинство цифр и букв названия ЭРЭ, по которым однозначно определяется его тип. Несмотря на миниатюрность SMD-элементов, их параметры, включая рассеиваемую мощность, мало чем отличаются от корпусных аналогов.
Для сведения, в справочных данных на транзисторы в корпусе SOT-23 указывается максимально допустимая мощность 0,25-0,4 Вт, в корпусе SOT-89 – 0,5-0,8 Вт, в корпусе SOT-223 – 1-2 Вт.
Маркировочный код элементов может быть цифровым, буквенным или буквенно-цифровым. Количество символов кода от 1 до 4, при этом полное наименование ЭРЭ содержит 5-14 знаков.
Самые длинные названия применяют:
- американская фирма Motorola,
- японская Seiko Instruments
- тайваньская Pan Jit.
Код | Тип | ЭРЭ | Фирма | Рис. | Код | Тип | ЭРЭ | Фирма | Рис. |
7E | MUN5215DW1T1 | K2 | MO | 2Q | |||||
11 | MUN5311DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 7F | MUN5216DW1T1 | K2 | MO | 2Q |
12 | MUN5312DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 7G | MUN5230DW1T1 | K2 | MO | 2Q |
12 | INA-12063 | U2 | HP | 2Q | 7H | MUN5231DW1T1 | K2 | MO | 2Q |
13 | MUN5313DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 7J | MUN5232DW1T1 | K2 | MO | 2Q |
14 | MUN5314DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 7K | MUN5233DW1T1 | K2 | MO | 2Q |
15 | MUN5315DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 7L | MUN5234DW1T1 | K2 | MO | 2Q |
16 | MUN5316DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 7M | MUN5235DW1T1 | K2 | MO | 2Q |
1С | BC847S | N5 | SI | 2Q | 81 | MGA-81563 | U1 | HP | 2Q |
1P | BC847PN | P6 | SI | 2Q | 82 | INA-82563 | U1 | HP | 2Q |
31 | MUN5331DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 86 | INA-86563 | U1 | HP | 2Q |
32 | MUN5332DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 87 | INA-87563 | U1 | HP | 2Q |
33 | MUN5333DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 91 | IAM-91563 | U1 | HP | 2Q |
34 | MUN5334DW1T1 | L3 | MO | 2Q | A2 | MBT3906DW1T1 | P5 | MO | 2Q |
35 | MUN5335DW1T1 | L3 | MO | 2Q | A3 | MBT3906DW9T1 | P5 | MO | 2Q |
36 | ATF-36163 | A1 | HP | 2Q | A4 | BAV70S | E4 | SI | 2Q |
3C | BC857S | P5 | SI | 2Q | E6 | MDC5001T1 | U3 | MO | 2Q |
3X | MUN5330DW1T1 | L3 | MO | 2Q | H5 | MBD770DWT1 | F2 | MO | 2Q |
46 | MBT3946DW1T1 | P6 | MO | 2Q | II | AT-32063 | N2 | HP | 2Q |
51 | INA-51063 | U2 | HP | 2Q | M1 | CMY200 | U1 | SI | 2R |
52 | INA-52063 | U2 | HP | 2Q | M4 | MBD110DWT1 | F2 | MO | Q |
54 | INA-54063 | U2 | HP | 2Q | M6 | MBF4416DW1T1 | A3 | MO | 2Q |
6A | MUN5111DW1T1 | L2 | MO | 2Q | MA | MBT3904DW1T1 | N5 | MO | 2Q |
6B | MUN5112DW1T1 | L2 | MO | 2Q | MB | MBT3904DW9T1 | N5 | MO | 2Q |
6C | MUN5113DW1T1 | L2 | MO | 2Q | MC | BFS17S | N5 | SI | 2Q |
6D | MBF5457DW1T1 | A3 | MO | 2Q | RE | BFS480 | N5 | SI | 2Q |
6D | MUN5114DW1T1 | L2 | MO | 2Q | RF | BFS481 | N5 | SI | 2Q |
6E | MUN5115DW1T1 | L2 | MO | 2Q | RG | BFS482 | N5 | SI | 2Q |
6F | MUN5116DW1T1 | L2 | MO | 2Q | RH | BFS483 | N5 | SI | 2Q |
6G | MUN5130DW1T1 | L2 | MO | 2Q | T4 | MBD330DWT1 | F2 | MO | 2Q |
6H | MUN5131DW1T1 | L2 | MO | 2Q | W1 | BCR10PN | L3 | SI | 2Q |
6J | MUN5132DW1T1 | L2 | MO | 2Q | WC | BCR133S | K2 | SI | 2Q |
6K | MUN5133DW1T1 | L2 | MO | 2Q | WF | BCR08PN | L3 | SI | 2Q |
6L | MUN5134DW1T1 | L2 | MO | 2Q | WK | BCR119S | K2 | SI | 2Q |
6M | MUN5135DW1T1 | L2 | MO | 2Q | WM | BCR183S | K2 | SI | 2Q |
7A | MUN5211DW1T1 | K2 | MO | 2Q | WP | BCR22PN | L3 | SI | 2Q |
7B | MUN5212DW1T1 | K2 | MO | 2Q | Y2 | CLY2 | A1 | SI | 2R |
7C | MUN5213DW1T1 | K2 | MO | 2Q | 6s | CGY60 | U1 | SI | 2R |
7D | MUN5214DW1T1 | K2 | MO | 2Q | Y7s | CGY62 | U1 | SI | 2R |
Аналоги
Выбор аналога для КТ825Г зависит от схемы в которой он используется. В любом случае полной его копии не существует и прототип BDX88 уже не производится. При этом, для большинства ситуаций подходят такие импортные транзисторы: 2N6052, MJ11013, MJ11015, 2N5884
Для его замены в выходных каскадах усилителей, в первую очередь стоит обратить внимание на российский 2Т825А или на эквивалентную конструкцию их двух биполярников КТ814Г и КТ818В
Часто, для ремонта или модернизации популярного УНЧ Солнцева (Квод-405) вместо КТ825Г применяют зарубежные дарлингтоны: MJ11015, TIP147, BDV64B. При таком подходе в данном усилителе также рекомендуют поменять его комплементарник КТ827А и тоже на импортные аналоги. Соответственно подойдут: MJ11016, TIP142, BDV65B. Стоит учитывать, что коллекторный ток у двух последних значительно меньше (до 10 А), чем у рассматриваемого. Но при этом считается, что качество звука в этом случае будет на много лучше.
Бывают и другие случаи, когда вместо дорогого импортного транзистора дарлингтона довольно успешно применяют наш КТ825Г. Например, его нередко используют для замены мощных Т1829-1 и FW26025A1, которые установлены для регулировки напряжением на вентиляторах в автомобильных блоках управления отоплением Valeo 833817E.
Результаты подбора MOSFET (поиска аналога)
Маркировка | Pol | Struct | Pd | Uds | Ugs | Ugs(th) | Id | Tj | Qg | Tr | Cd | Rds | Caps |
22N20 | N | MOSFET | 156 | 200 | 30 | 22 | 150 | 300 | 220 | 0.12 | TO220 TO220F | ||
2SK3555-01MR | N | MOSFET | 95 | 250 | 30 | 37 | 150 | 30 | 220 | 0.1 | TO220F | ||
2SK3607-01MR | N | MOSFET | 37 | 200 | 30 | 18 | 150 | 2.6 | 110 | 0.17 | TO220F | ||
2SK3926-01MR | N | MOSFET | 95 | 250 | 30 | 34 | 150 | 19 | 220 | 0.11 | TO220F | ||
AOTF27S60 | N | MOSFET | 50 | 600 | 30 | 27 | 150 | 33 | 80 | 0.16 | TO220F | ||
AOTF29S50 | N | MOSFET | 50 | 500 | 30 | 3.9 | 29 | 150 | 39 | 88 | 0.15 | TO220F | |
AOTF42S60 | N | MOSFET | 50 | 600 | 30 | 3.8 | 39 | 150 | 40 | 53 | 135 | 0.099 | TO220F |
AOTF42S60L | N | MOSFET | 37.9 | 600 | 30 | 3.8 | 39 | 150 | 40 | 53 | 135 | 0.099 | TO220F |
F21F60CPM | N | MOSFET | 60 | 600 | 30 | 3.5 | 21 | 150 | 39 | 60 | 100 | 0.165 | TO220F |
F25F60CPM | N | MOSFET | 70 | 600 | 30 | 3.5 | 25 | 150 | 53 | 70 | 120 | 0.125 | TO220F |
FCPF099N65S3 | N | MOSFET | 43 | 650 | 30 | 4.5 | 30 | 150 | 57 | 20 | 50 | 0.099 | TO220F |
FCPF125N65S3 | N | MOSFET | 38 | 650 | 30 | 4.5 | 24 | 150 | 44 | 25 | 40 | 0.125 | TO220F |
FCPF22N60NT | N | MOSFET | 39 | 600 | 30 | 4 | 22 | 150 | 45 | 0.165 | TO220F | ||
FDPF18N20F | N | MOSFET | 41 | 200 | 30 | 5 | 18 | 150 | 50 | 200 | 0.14 | TO220F | |
FDPF18N20FT | N | MOSFET | 41 | 200 | 30 | 5 | 18 | 150 | 20 | 0.14 | TO220F | ||
FDPF18N20FT_G | N | MOSFET | 35 | 200 | 30 | 18 | 150 | 0.14 | TO220F | ||||
FDPF2710T | N | MOSFET | 62.5 | 250 | 30 | 5 | 25 | 150 | 78 | 0.0425 | TO220F | ||
FDPF33N25T | N | MOSFET | 37 | 250 | 30 | 5 | 33 | 150 | 36.8 | 0.094 | TO220F | ||
FDPF33N25TRDTU | N | MOSFET | 37 | 250 | 30 | 5 | 33 | 150 | 0.094 | TO220F | |||
FDPF39N20 | N | MOSFET | 37 | 200 | 30 | 5 | 39 | 150 | 38 | 0.066 | TO220F | ||
FDPF39N20TLDTU | N | MOSFET | 37 | 200 | 30 | 5 | 23.4 | 150 | 0.066 | TO220F | |||
FDPF44N25T | N | MOSFET | 38 | 250 | 30 | 5 | 44 | 150 | 47 | 0.069 | TO220F | ||
FDPF44N25TRDTU | N | MOSFET | 38 | 250 | 30 | 5 | 44 | 150 | 0.069 | TO220F | |||
FDPF51N25 | N | MOSFET | 38 | 250 | 30 | 5 | 28 | 150 | 55 | 0.06 | TO220F | ||
FDPF51N25RDTU | N | MOSFET | 38 | 250 | 30 | 5 | 51 | 150 | 0.06 | TO220F | |||
FMV24N25G | N | MOSFET | 65 | 250 | 30 | 5 | 24 | 150 | 36 | 22 | 200 | 0.13 | TO220F |
FQPF18N20V2 | N | MOSFET | 40 | 200 | 30 | 5 | 18 | 150 | 20 | 133 | 200 | 0.14 | TO220F |
FQPF19N20C | N | MOSFET | 43 | 200 | 30 | 4 | 19 | 150 | 40.5 | 0.17 | TO220F | ||
FQPF19N20CYDTU | N | MOSFET | 43 | 200 | 30 | 4 | 19 | 150 | 40.5 | 150 | 195 | 0.17 | TO220F |
FQPF32N20C | N | MOSFET | 50 | 200 | 30 | 4 | 28 | 150 | 82.5 | 0.082 | TO220F | ||
FS20KM-5 | N | MOSFET | 40 | 250 | 30 | 20 | 0.15 | TO220FN | |||||
GP1M018A020XX | N | MOSFET | 94 | 200 | 30 | 5 | 18 | 150 | 18 | 30 | 180 | 0.17 | TO220 TO220F |
IRFI4229 | N | MOSFET | 46 | 250 | 30 | 19 | 73 | 0.046 | TO220FP | ||||
MTN18N20FP | N | MOSFET | 41 | 200 | 30 | 18 | 150 | 66 | 154 | 0.08 | TO220FP | ||
NCE65T130F | N | MOSFET | 35 | 650 | 30 | 4 | 28 | 150 | 37.5 | 12 | 120 | 0.13 | TO220F |
NTPF082N65S3F | N | MOSFET | 48 | 650 | 30 | 5 | 40 | 150 | 70 | 27 | 70 | 0.082 | TO220F |
RCX200N20 | N | MOSFET | 40 | 200 | 30 | 5 | 20 | 150 | 40 | 100 | 120 | 0.13 | TO220FM |
RCX220N25 | N | MOSFET | 40 | 250 | 30 | 5 | 22 | 150 | 60 | 100 | 170 | 0.14 | TO220FM |
RCX300N20 | N | MOSFET | 40 | 200 | 30 | 5 | 30 | 150 | 60 | 160 | 200 | 0.08 | TO220FM |
RCX330N25 | N | MOSFET | 40 | 250 | 30 | 33 | 150 | 80 | 200 | 220 | 0.077 | TO220FM | |
SIHA25N50E | N | MOSFET | 35 | 500 | 30 | 4 | 26 | 150 | 57 | 36 | 105 | 0.145 | TO220FP |
SIHF23N60E | N | MOSFET | 35 | 600 | 30 | 4 | 23 | 150 | 63 | 38 | 119 | 0.158 | TO220FP |
SIHF28N60EF | N | MOSFET | 39 | 600 | 30 | 4 | 28 | 150 | 80 | 40 | 123 | 0.123 | TO220FP |
SMK1820F | N | MOSFET | 35 | 200 | 30 | 18 | 150 | 130 | 227 | 0.17 | TO220F | ||
SMK1820FJ | N | MOSFET | 35 | 200 | 30 | 18 | 150 | 130 | 227 | 0.17 | TO220F | ||
STF30NM60N | N | MOSFET | 40 | 600 | 30 | 4 | 25 | 150 | 91 | 24 | 210 | 0.13 | TO220FP |
TK22A65X5 | N | MOSFET | 45 | 650 | 30 | 4.5 | 22 | 150 | 50 | 20 | 60 | 0.16 | TO220F |
Всего результатов: 47
Заключение
Информация о маркировочных кодах, содержащаяся в литературе, требует критического подхода и осмысления. К сожалению, красиво оформленный каталог с безукоризненной полиграфией не гарантируют от опечаток, ошибок, разночтений и противоречий, поэтому исходите из данных, что приведены в справочнике о маркировке радиоэлементов.
В заключение хотелось бы поблагодарить источники, которые были использованы для подбора материала к данной статье:
www.mp16.ru
www.rudatasheet.ru
www.texnic.ru
www.solo-project.com
www.ra4a.narod.ru
Предыдущая
ПолупроводникиЧто такое биполярный транзистор
Следующая
ПолупроводникиSMD транзисторы